Attribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0)Beltran Rios, Carlos LeonardoRodríguez Moreno, Elber2024-03-0320092024-03-0320092009https://noesis.uis.edu.co/handle/20.500.14071/22264En el siguiente trabajo se analizo los niveles de energía asociados a una donadora cerca de una interfase de Si/SiO2. El análisis se ejecuto en el esquema de aproximación de la masa efectiva y los cálculos se realizaron mediante procedimientos numéricos y computacionales para resolver el problema de Schr¨odinger, mediante el principio variacional de Schr¨odinger. En particular se estudio el comportamiento del nivel base en la presencia de un campo eléctrico constante en la dirección perpendicular a la interfase. Este sistema debido a que la interfase se puede modelar mediante un potencial con confinamiento infinito y al aplicar un campo eléctrico se genera un sistema de doble pozo con el potencial de la impureza donadora. Se encontró una dependencia del potencial efectivo con el campo eléctrico aplicado y la distancia entre la interfase de Si/SiO2 y la impureza donadora, haciendo que el pozo de potencial sea menos profundo cuando se aleja la impureza de la interfase y el campo eléctrico aumenta. También se encontró una dependencia de la energía de enlace y el campo eléctrico aplicado, como de la distancia entre la impureza donadora y la interfase, haciendo que estos niveles de energía suban a medida que los valores de campo y distancia aumentan.application/pdfspahttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/DonadoraEspectro energéticoEnergía de enlaceBarrido Trigonométrico.Universidad Industrial de SantanderTesis/Trabajo de grado - Monografía - PregradoUniversidad Industrial de Santanderhttps://noesis.uis.edu.coDonorEnergy spectrumBinding energyTrigonometric sweep.info:eu-repo/semantics/openAccessAtribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0)