Escuela de Ingeniería Metalúrgica y Ciencia de Materiales

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Browsing Escuela de Ingeniería Metalúrgica y Ciencia de Materiales by Author "Acevedo Pena, Prospero"

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    Preparación de electrodos semiconductores sobre vidrio conductor (ito) por deposición electroforética y su caracterización electroquímica
    (Universidad Industrial de Santander, 2009) Acevedo Pena, Prospero; Pedraza Rosas, Julio Elias; Gonzalez Martinez, Ignacio
    En el presente trabajo de investigación se encuentra una recopilación del trabajo d einvestigación realizado sobre la formación de películas de óxidos semiconductores, y su caracterización electroquímica. Para tal fin se desarrolló una estrategia netamente electroquímica, que permitiera la evaluación de posibles cambios estructurales ocasionados durante la formación de la película semiconductora; por lo que en primera instancia, se realizó un estudio sobre películas anódicas de TiO2 empleando una variedad de técnicas y estrategias electroquímicas, que permitieran la evaluación de las modificaciones estructurales ocasionadas durante su formación. La metodología propuesta permitió la evaluación de los cambios estructurales durante la deposición electroforética catódica de TiO2 en medio acuoso; cambios que comprometían la actividad fotoelectroquímica de las películas, ya que durante su formación, se crean defectos que actúan como trampas, que dificultan la difusión de los electrones a través de la membrana porosa de TiO2. Para superar este inconveniente, se realizó un estudio sobre películas de TiO2 formadas por deposición electroforética catódica en medio orgánico, y empleando la misma estrategia electroquímica, se determinó que el cambio de solvente durante la formación de las películas (de agua a 2-propanol), evita la formación de estos defectos que entorpecen la difusión de los electrones. Por lo anterior, la formación y caracterización de la películas de la nueva familia de materiales Bi2MNbO7 (M = Al, Ga, In), se llevó a cabo en medio orgánico. La caracterización de las propiedades resistivas y semiconductoras de esta nueva familia de materiales, muestra que no hay modificaciones durante la deposición de los materiales, y que su comportamiento es típico de un semiconductor tipo n, sin embargo, su desempeño fotoelectroquímico mostró no ser el adecuado para la fabricación de electrodos de celdas fotoelectroquímicas.