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Estudio electroquímico de la degradación de cianuro con luz visible utilizando películas de óxido de titanio dopado con nitrógeno, n-tio2

Resumen

Se prepararon películas semiconductoras de N-TiO2con un sol nanoparticulado, recubriendo láminas de acero inoxidable AISI 304 por el método dip-coating. La película de N-TiO2 fue caracterizada por microscopia electrónica de barrido, voltamperometría y medidas de fotopotencial a circuito abierto. Se estudió desde el punto de vista fundamental la fotooxidación de cianuro sobre el material semiconductor, utilizando una fuente de luz artificial con una energía lumínica parecida a la luz solar. Losestados localizados en la brecha de energía prohibida, los cuales actúan como sitios de entrampamiento de electrones, son esenciales para entender y explicar el comportamiento foto-electroquímico del N-TiO2 y su fotoactividad. Con el objetivo de aplicar este material en una celda fotoelectroquímica, y que el presente estudio sirva de base para escalar el proceso en un reactor fotoelectroquímico, se propone una estrategia experimental para determinar el potencial, la corriente y la densidad de corriente apropiada para realizar la fotooxidación de cianuro bajo control difusional. Finalmente se lleva a cabo simultáneamente la degradación de cianuro y la remoción de mercurio en una celda electroquímica. Para realizar esto último se trabajó en conjunto en la etapa final de otro trabajo de investigación titulado Estudio electroquímico de la reducción de cianocomplejos de mercurio en acero inoxidable y grafito en efluentes de la minería aurífera.