"análisis termo mecánico de cristales de cobre con defectos puntuales por medio de dinámica molecular"

Abstract

Simulaciones de dinámica molecular se llevaron a cabo con el objetivo de obtener propiedades mecánicas del cobre cuando en la estructura cristalina de éste se presentan defectos puntuales como vacancias e intersticialidades, para esto se utilizó la versión reparametrizada del potencial de Sutton-Chen (Q-SC) aplicada a un sistema inicial sin defectos de 500 átomos de cobre acomodados en una red cristalina, los cálculos se realizaron para un determinado número de concentraciones de vacancias e intersticialidades a las temperaturas de 300, 373, 500, y 700K. Las simulaciones se desarrollaron en dos etapas; en un primer caso, a medida que se agregaban los defectos se mantenía constante el volumen de la celda, para un segundo caso los parámetros de la celda eran cambiados con el fin de mantener la misma densidad para cada concentración de defectos. Se hallaron valores de constantes elásticas, módulo de compresibilidad, módulo de elasticidad transversal, así mismo se pudo observar la influencia de los defectos puntuales, temperatura y volumen sobre estas constantes. Los resultados de este trabajo demostraron que el comportamiento elástico del cobre está directamente influenciado por la presión interna del sistema, se encontró que altas concentraciones de defectos puntuales de tipo intersticial generan gran inestabilidad en el sistema que hacen suponer un cambio de fase a bajas temperaturas, situación que conllevó a analizar el ordenamiento estructural del sistema por medio de funciones de distribución radial.