Efecto de la anisotropía sobre las propiedades electrónicas de un punto cuántico autoensamblado

Abstract

Se analiza el efecto de la anisotropía estructural de un punto cuántico autoensamblado de InAs/- GaAs sobre el espectro energético de un electrón confinado en su interior y en presencia de un campo magnético aplicado en la dirección de crecimiento. Dicha anisotropía es modelada mediante variaciones periódicas en la altura del punto respecto al ángulo acimutal, obteniéndose de esta manera una estructura con confinamiento axialmente no simétrico. Se considera primero un problema de QD lenticular con simetría axial el cual se puede resolver completamente mediante la aplicación de la aproximación adiabática para separar los movimientos en las direcciones vertical y horizontal. El problema del QD anisótropo es resuelto haciendo uso del método de Galerkín tomando como base la solución obtenida para el punto lenticular axialmente simétrico. Se estudió el espectro electrónico en función de la intensidad del campo magnético aplicado para estructuras con diferentes configuraciones y grado de anisotropía. Se encontró que para los casos de simetrías rotacionales C2 y C4 se destruye la degeneración de los niveles presentada en el caso isotrópico y aparecen anti-cruces entre ellos debido a la ruptura de la simetría rotacional. Se analizó la dependencia de los primeros niveles energéticos del QD en función del tamaño del punto para diferentes configuraciones de anisotropía. Nuestros resultados revelan que la existencia de cierto grado de anisotropía en un QD puede favorecer la aparición de estados moleculares, similares a los observados en sistemas de QDs acoplados.