Influencia del las impurezas naturales de galena en su tipo de semiconducción para predecir su comportamiento en la flotación

Abstract

Se propuso una metodología con electrodos de pasta de carbono para determinar el tipo de semiconductividad de cuatro muestras de galena (PbS), así como para determinar la influencia de sus impurezas naturales para predecir su comportamiento en el proceso de flotación por espuma, ya que la adsorción del colector sobre la superficie de galena está determinado por su tipo de semiconductividad. Las muestras de galena fueron pulverizadas para obtener tamaños similares a los que obtienen durante su beneficio y fueron dispersadas en una pasta de carbono para preparar electrodos. Las muestras fueron identificadas por difracción de rayos X y microscopía electrónica de barrido de emisión de campo y análisis químico por espectroscopia de electrones retrodispersados; además las muestras se analizaron cuantitativamente por el método de refinación Rietveld. Con el propósito de identificar la cantidad y el tipo de impurezas que dopan a las muestras de galena se realizaron análisis de espectroscopia fotoelectrónica de rayos X. La semiconductividad fue determinada por medidas fotoquímicas de potencial de circuito abierto con un LED rojo monocromático de 1.89 eV, y medidas de capacitancia con análisis de Mott-Schottky en la oscuridad. Los resultados muestran que las cuatro muestras de galena presentan una semiconductividad tipo p, la cual se debe a impurezas de Ag. Estos resultados muestran que las muestras de galena estudiadas son de tipo