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Estudio computacional de la estructura electrónica de oligomeros tipo fenil vinilideno (opvs) en fase gaseosa y en solución

dc.contributor.advisorBlanco Tirado, Cristian
dc.contributor.authorBerrio Sánchez, Jose Miguel
dc.contributor.authorMateus Ardila, Laura Juliana
dc.date.accessioned2024-03-03T19:27:57Z
dc.date.available2012
dc.date.available2024-03-03T19:27:57Z
dc.date.created2012
dc.date.issued2012
dc.description.abstractLos materiales poliméricos tipo fenil vinilideno presentan carácter semiconductor y exhiben fenómenos como electroluminescencia, fotoluminescencia y solvatocromismo, útiles en el desarrollo de sensores, OLEDs y celdas solares, con ventajas de fabricación y costo respecto a los materiales cristalinos tradicionalmente usados en tecnología electrónica. Para mejorar en dichas estructuras el grado de polimerización y controlar el orden macróscopico requerido para la formación de películas, Sierra y colaboradores (2010) propusieron la construcción de redes poliméricas mediante la formación de puentes de hidrógeno entre oligómeros. En este sentido sintetizaron el E,E-1,4-dimetoxi-2,5-bis[2-(4-nitrofenil)etenil] benceno, el cual mostró solvatocromismo. Se realizó un estudio computacional del efecto de distintos solventes sobre la estructura electrónica de dicho oligómero, partiendo de una optimización preliminar en fase gaseosa utlizando HF, método que no representó el carácter semiconductor del sistema debido a que no considera la correlación electrónica. Posteriormente se realizaron cálculos con DFT/B3LYP y diferentes conjuntos base, que mostraron convergencia de los valores de energía total, longitudes de enlace, HOMO y LUMO hacia los correspondientes a 6-31G++(2d,p). Se eligió DFT/B3LYP/631G(d) y C-PCM para realizar los cálculos en solución, adicionando el porcentaje de error estimado en fase gas respecto a 6-31G++(2d,p). Se calcularon bandas prohibidas entre 2.42 y 2.54 [eV], valores que reflejan el carácter semiconductor del oligómero. A pesar de los cambios en las longitudes de enlace, en todas las soluciones se conservó el carácter conjugado del oligómero y hubo migración de carga hacia la cadena carbonada de la estructura y disminución de la banda prohibida con el aumento de la constante dieléctrica del solvente. Las diferencias porcentuales de las bandas prohibidas calculadas respecto a las estimadas a partir de espectros de absorción experimentales correspondieron a 1.2%, 1.3% y 2.3% valores que muestran la cercanía del modelo al sistema real.
dc.description.abstractenglishPhenylene vinylene materials have semiconductor character and show electroluminescence, photoluminescence and solvatochromism. They are valuable for sensors, OLEDs and solar cells development, considering their cost and fabrication advantages over crystalline materials, which are traditionally used for electronic devices. To enhance polymerization rate in those structures and control macroscopic order required for films synthesis, Sierra et al (2010) proposed the construction of polymer networks by means of hydrogen bonding formation between oligomers. This way E,E-2,5-bis(ethoxy)-1,4-bis(p-nitrophenyl-1,2diethenyl)benzene was synthesized and showed solvatochromism. A computational study of the effect of different solvents on the electronic structure of the referred oligomer was made, starting with a preliminary optimization in gas phase using HF, method which did not describe the semiconductor character of the molecule since it does not consider the electron correlation. Subsequently, DFT/B3LYP calculations with several basis sets were performed, showing convergence of the values for total energy, bond length, HOMO and LUMO to those corresponding to 6-31G++(2d,p). DFT/B3LYP/631G(d) and C-PCM were chosen to complete calculations in solution, the percentage error estimated in gas phase respect to 6-31G++(2d,p) was added to them. Calculated band gaps were between 2.42 y 2.54 [eV], values that exhibit the semiconductor character of the oligomer. It was found that despite of the variations in bond length, the conjugated character of the oligomer remained in all solutions; also, there was charge migration to the carbon chain of the structure and lower of the band gap with the increase of the dielectric constant of the solvent. Percentage differences of the calculated band gaps respect to the ones estimated from experimental absorption spectrums corresponding to 1.2%, 1.3% and 2.3% were obtained, values that show the resemblance between the model and the real system.
dc.description.degreelevelPregrado
dc.description.degreenameIngeniero Químico
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier.instnameUniversidad Industrial de Santander
dc.identifier.reponameUniversidad Industrial de Santander
dc.identifier.repourlhttps://noesis.uis.edu.co
dc.identifier.urihttps://noesis.uis.edu.co/handle/20.500.14071/26624
dc.language.isospa
dc.publisherUniversidad Industrial de Santander
dc.publisher.facultyFacultad de Ingenierías Fisicoquímicas
dc.publisher.programIngeniería Química
dc.publisher.schoolEscuela de Ingeniería Química
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.creativecommonsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0)
dc.rights.licenseAttribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0)
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0
dc.subjectPolímeros conjugados
dc.subjectDFT
dc.subjectEstudio computacional
dc.subjectSolvatocromismo
dc.subjectBanda prohibida
dc.subjectOPV
dc.subjectespectro de absorción
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dc.titleEstudio computacional de la estructura electrónica de oligomeros tipo fenil vinilideno (opvs) en fase gaseosa y en solución
dc.title.englishComputational study of the electronic structure of phenylene vinylene oligomers (opvs) in gas phase and in solution
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce
dc.type.hasversionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
dc.type.localTesis/Trabajo de grado - Monografía - Pregrado
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