Efecto del campo electrico sobre el estado base de una do en pozos cuanticos y dobles pozos cuanticos de gaal-ga1-xalxas
No Thumbnail Available
Date
2004
Authors
Advisors
Evaluators
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Universidad Industrial de Santander
Abstract
Se estudia el efecto del campo eléctrico aplicado en la dirección de crecimiento del cristal sobre la energía de enlace del estado fundamental de una impureza donadora neutra en heteroestructuras de pozo cuántico (QW) y doble pozo cuántico (DQW) de GaAs/Ga1-xAlxAs, considerando diferentes formas del potencial de confinamiento. La función de onda para este estado se presenta en una forma de producto de la función de onda del electrón desacoplado con una función de correlación que corresponde a la interacción electrón Œ donadora. Para calcular la energía de enlace utilizamos el Método de Dimensión Fractal (MDF) con el cual partiendo del principio variacional de Schrödinger encontramos la función de correlación que minimiza el funcional. El análisis se realiza dentro del marco de la aproximación masa efectiva, suponiendo que los parámetros del material como la masa efectiva y la constante dieléctrica son uniformes en las capas de GaAs y Ga1-xAlxAs. Además proponemos una extensión del Método de Dimensión Fractal, que permite obtener mejores resultados para el cálculo de la energía de enlace Eb al incluir en la función de prueba la posibilidad de un confinamiento de la distribución electrónica en el plano perpendicular a la dirección de crecimiento de cristal. Presentamos los resultados del cálculo de la energía de enlace de una donadora en heteroestructuras de pozo cuántico y doble pozo cuántico en función del ancho del pozo, la altura del potencial de confinamiento y la posición de la impureza dentro de la heteroestructura.
Description
Keywords
Campo eléctrico, Potenciales suaves, QW, DQW, Donadora neutra.