Preparación electroquímica y caracterización de películas de hg1xcdxse

Abstract

En esta investigación se presentan los resultados de la preparación electroquímica potenciostática de películas de sobre dos sustratos semiconductores diferentes: GaSb y Ti/TiO2. Se estudiaron los procesos de reducción de cada uno de los componentes que forman a la aleación de , además del estudio electroquímico del proceso de formación de la aleación. Para ello fue necesario realizar un estudio de especiación química con diagramas de distribución de especies. Las películas obtenidas se caracterizaron por las técnicas de difracción de rayos X con incidencia rasante, microscopia electrónica de barrido de emisión de campo, espectroscopia fotoelectrónica de rayos X, fotoluminiscencia y espectroscopia Raman. Se encontró que la primera especie química en depositarse es el selenio, seguido de la codeposición del Cd2+ y Hg2+. Se formó más de una fase cristalina, encontrando una fase tipo blenda de zinc característica del y del . También se encontró que los sustratos no tienen una influencia significativa en el tipo de crecimiento cristalino, o en el comportamiento electroquímico. Los análisis de XPS confirmaron la presencia de dos fases de con distintas proporciones de los elementos que la componen. Adicionalmente, los perfiles de profundidad Auger muestran que la composición de la aleación cambia progresivamente desde el sustrato hacia la superficie. Por último, se determinó que las películas formadas presentan un cierto de grado de oxidación. Esta investigación hizo parte del proyecto VIE-5716 del CMN.