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Resultados de la simulacion de las protecciones perifericas jte para el sostenimiento de la tension en regimen inverso de un diodo en sic-4h

Resumen

Este proyecto de fin de estudios se inscribe dentro de los trabajos de investigación del laboratorio Centro de Ingeniería Eléctrica de Lyon CEGELY, en lo que concierne a la aplicación del carburo de silicio SiC como material semiconductor para los dispositivos de electrónica de potencia. Las investigaciones actuales están orientadas hacia la búsqueda de tensiones de sostenimiento en régimen inverso de 5 a 10 kV. El objetivo de esta practica es la simulación de un diodo PiN con una tensión de ruptura de 7000 V. El posee la particularidad de ser protegido en su periferia por tres bolsas o JTE (Junction Termination Extension). El objetivo de esta practica es determinar los intervalos de dois de implantación iónica y las longitudes de las diferentes bolsas teniendo en cuenta las limitaciones tecnológicas. Un programa de cálculo que utiliza el método de los elementos finitos llamado MEDICITM permite determinar las características eléctricas y las magnitudes físicas internas (campo eléctrico, concentración de portadores). La estructura es determinada con la ayuda de un mallado donde en cada punto la ecuación de Poissin y las ecuaciones de continuidad son calculadas. La extensión del emisor ha sido simulada resolviendo, con la ayuda del simulador, el problema de la conservación de la tensión en la periferia por medio de tres bolsas. Los intervalos de dosis de implantación fueron obtenidos. La anterior conclusión se inscribe dentro de una teoría que quiere mostrar que tres bolsas permiten definir intervalos de implantación iónica más grandes que una sola bolsa. Se ha simulado el diodo con una capa de aislante soble él: Aire, SiO2. Para determinar el orden de las simulaciones, un plano de experiencias ha sido concebido.