Sintesis y caracterizacion estructural por difraccion de rayos-x del material solido fe2-2xmn2xge se4 con composiciones x=0.5, 0.6 y 0.7 perteneciente a la familia de compuestos semiconductores del tipo 112 iv v14

Abstract

La síntesis de los materiales con composición x = 0.5, 0.6 y 0.7 fue realizada en el Laboratorio de Investigación de Materia Condensada de la Escuela de Física, los elementos constituyentes de cada composición fueron introducidos en ampollas de cuarzo y selladas al vacío. Estas ampollas se localizaron en un horno y fueron calentadas lentamente hasta 500ºC. Se dejó a esta temperatura durante tres días. Luego fueron calentadas hasta 1100ºC y mantenidas a esta temperatura por dos horas, pasados este tiempo, se hizo descender la temperatura hasta 500ºC. A esta temperatura permaneció por un mes. El descenso final hasta la temperatura ambiente se realizó aproximadamente en un día La toma de datos de difracción se hizo utilizando un difractómetro marca Rigaku modelo D/MAX IIIB. El análisis cualitativo (método de Hanawalt) se realizó con la ayuda de la base de datos PDF-2 de la ICDD. El sistema cristalino y el cálculo de las constantes de la celda unidad se realizaron con la ayuda del programa DICVOL04 utilizando las primeras veinte reflexiones. El refinamiento de las constantes de la celda unidad previamente calculadas se logró con la ayuda del programa NBSAIDS83 utilizando el total de las reflexiones observadas para el material en estudio. El indexado de las primeras 20 reflexiones realizado con el programa DICVOL04, nos reportó que los nuevos materiales cristaliza en el sistema ortorrómbico. Con la ayuda del programa CHEKCELL suministrándole los valores de 2q y hkl, se encontró que el grupo espacial para las distintas soluciones sólidas era Pnma.