Estados ligados de portadores de carga en heteroestructuras semiconductoras

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dc.contributor.advisorMikhailov, Ilia Davidovich
dc.contributor.authorGutiérrez Niño, William
dc.date.accessioned2024-03-03T18:47:58Z
dc.date.available2011
dc.date.available2024-03-03T18:47:58Z
dc.date.created2011
dc.date.issued2011
dc.description.abstractSe analizan algunas propiedades eléctricas y ópticas de sistemas de pocas partículas confinados en heteroestructuras semiconductoras. Específicamente se estudian los estados acoplados de algunos complejos móviles e inmóviles de portadores de carga, tales como: impurezas donadoras neutras, impurezas cargadas negativamente, donadoras acopladas y excitones neutros, en heteroestructuras en forma de anillo y de hilo. Las características geométricas de tales estructuras permiten hacer una separación de variables artificial en la ecuación de Schrödinger mediante la aproximación adiabática. Este procedimiento nos lleva a derivar una ecuación de onda unidimensional que describe los niveles más bajos de los diferentes sistemas de pocas partículas confinados, los cuales corresponden al movimiento lento de los portadores de carga a lo largo del hilo o en dirección acimutal para el caso del anillo. A diferencia de un gran número de estudios similares realizados anteriormente, donde solo se calcula el estado fundamental, los sistemas en consideración nos permiten analizar el espectro energético completo en el marco de métodos analíticos o numéricos, y calcular una más amplia variedad de parámetros físicos relacionados con las propiedades eléctricas y ópticas de sistemas de pocas partículas en heteroestructuras, como es el caso de los espectros de absorción y fotoluminiscencia, entre otros. Por otro lado, se ha propuesto una metodología novedosa que permite analizar la presencia de campos magnéticos y eléctricos externos, y de desorden en tales sistemas. Dicho desorden puede estar representado por medio de impurezas o por variaciones en la composición o morfología de la estructura. Con este fin se han elaborado nuevos algoritmos y programas computacionales sobre la base de modelos exactos, diagonalización matricial y la aproximación adiabática.
dc.description.abstractenglishIt was analyzed some electrical and optical properties of few-particle systems confined in semiconductor heterostructures. Specifically we study the coupled states of some mobile and immobile charge carriers complexes, such as neutral donor impurities, negatively charged impurities, coupled donors and neutral excitons in heteroestructures in a a ring-shaped and wire-shaped. The geometric features of these structures allow an artificial separation of variables in the Schrödinger equation using the adiabatic approximation. This procedure leads us to derive a one-dimensional wave equation which describes the low-lying levels of the different few-particles systems confined, which correspond to the slow motion of charge carriers along the wire or azimuthal motion in the case of a ring. Unlike many previous similar studies, where only the ground state is calculated, the systems in question allow us to analyze the entire energy spectrum in the context of analytical or numerical methods and calculate a wider range of physical parameters related to electrical and optical properties of few particle systems in heterostructures, as is the case of absorption and photoluminescence spectra, among others. On the other hand, it has been proposed a novel methodology to analyze the presence of external electric and magnetic fields, and disorder in such systems. This disorder can be represented by impurities or variations in the composition or morphology of the structure. To this end, we have developed new algorithms and computer programs based on exactly solved models, matrix diagonalization and the adiabatic approximation.
dc.description.degreelevelDoctorado
dc.description.degreenameDoctor en Ciencias Naturales
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier.instnameUniversidad Industrial de Santander
dc.identifier.reponameUniversidad Industrial de Santander
dc.identifier.repourlhttps://noesis.uis.edu.co
dc.identifier.urihttps://noesis.uis.edu.co/handle/20.500.14071/26058
dc.language.isospa
dc.publisherUniversidad Industrial de Santander
dc.publisher.facultyFacultad de Ciencias
dc.publisher.programDoctorado en Ciencias Naturales
dc.publisher.schoolEscuela de Física
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.creativecommonsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0)
dc.rights.licenseAttribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0)
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0
dc.subjectHeteroestructuras semiconductoras
dc.subjectHilos cuánticos
dc.subjectAnillos cuánticos
dc.subjectSistemas de pocas partículas
dc.subjectImpurezas donadoras
dc.subjectExcitones
dc.subjectEspectro energético
dc.subjectAproximación adiabática.
dc.subject.keywordSemiconductor heterostructures
dc.subject.keywordQuantum wires
dc.subject.keywordQuantum rings
dc.subject.keywordFewparticulate systems
dc.subject.keywordDonor impurities
dc.subject.keywordexcitons
dc.subject.keywordenergy spectrum
dc.subject.keywordadiabatic approximation.
dc.titleEstados ligados de portadores de carga en heteroestructuras semiconductoras
dc.title.englishBound states of charge carriers in semiconductor heterostructures.
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce
dc.type.hasversionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_db06
dc.type.localTesis/Trabajo de grado - Monografía - Doctorado
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