Oxidación fotoelectroquímica de fenol en solución acuosa mediante el uso de películas de tio2 dopadas con boro/grafeno inmovilizadas sobre acero inoxidable

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dc.contributor.advisorNiño Gómez, Martha Eugenia
dc.contributor.advisorMeléndez Reyes, Ángel Manuel
dc.contributor.authorGualdron Reyes, Andrés Fabian
dc.date.accessioned2024-03-03T20:45:45Z
dc.date.available2014
dc.date.available2024-03-03T20:45:45Z
dc.date.created2014
dc.date.issued2014
dc.description.abstractEl efecto del contenido de RGO en la fotocorriente generada en la oxidación de fenol bajo luz visible empleando películas compuestas de TiO2 dopadas con boro/RGO depositadas sobre acero inoxidable 304 por el método sol-gel y la técnica dip-coating fue estudiado. Micrografías FESEM muestran películas fracturadas debido al estrés térmico en la fase de enfriamiento durante el proceso de calentamiento. Los resultados de GIXRD muestran que el boro está presente en las películas inhibiendo el crecimiento de los cristalitos. Espectros de DRS indican la formación de especies donadoras localizadas justo debajo de la banda de conducción (CB) del TiO2 tras el dopaje con boro. Estos estados fueron identificados mediante XPS. Voltamperogramas de barrido lineal muestran que la incorporación de RGO mejora el transporte de electrones fotogenerados dentro de las películas compuestas, incrementando la fotocorriente. Estos mejoramientos son explicados en la base de la habilidad de RGO para promover la separación de portadores de carga. El efecto del contenido de boro en la capacidad de fotogeneración de portadores de carga del TiO2 también fue estudiado. La película compuesta con 0.03 wt% boro y 3 wt% de RGO exhibe la fotocorriente más alta la cual es 30 veces más alta comparada con la del TiO2. El efecto del sustrato fue comparado soportando la mejor película sobre placas de Titanio. Esta película mostró ser más fotoelectroquímicamente activa en un tiempo prolongado que la película sobre acero inoxidable.
dc.description.abstractenglishThe effect of graphene (RGO) content on the photocurrent generated in the phenol oxidation under visible light using boron-doped TiO2/RGO composite films deposited on 304 stainless steel plates by sol-gel method and dip-coating technique was studied. FESEM micrographs display cracked films due thermal stress in the cooling down stage during the heating process. GIXRD results show that boron is present in the films inhibiting the growth of crystallites. DRS spectra indicate the formation of donor species located below the bottom of conduction band (CB) of TiO2 after boron doping. The donor states are associated to Ti3+ species detected by XPS. Linear voltammograms show that RGO incorporation improves the photogenerated electron transport within the composite films, increasing the photocurrent. These enhancements are explained on the basis of the ability of graphene in promoting the charge carrier separation by transferring the photogenerated electrons from the illuminated TiO2 to the current collector. The effect of boron content on the charge carrier photogeneration capability of TiO2 was also studied. The composite film with 0.03 wt% boron and 3 wt% graphene exhibits the highest photocurrent which is 30 times compared with the photocurrent of the TiO2 film. The effect of substrate was compared depositing the best composite film on Titanium plates. This film showed more photoelectroactivity in a prolonged time than the composite film deposited on stainless steel.
dc.description.degreelevelMaestría
dc.description.degreenameMagíster en Química
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier.instnameUniversidad Industrial de Santander
dc.identifier.reponameUniversidad Industrial de Santander
dc.identifier.repourlhttps://noesis.uis.edu.co
dc.identifier.urihttps://noesis.uis.edu.co/handle/20.500.14071/30875
dc.language.isospa
dc.publisherUniversidad Industrial de Santander
dc.publisher.facultyFacultad de Ciencias
dc.publisher.programMaestría en Química
dc.publisher.schoolEscuela de Química
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.creativecommonsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0)
dc.rights.licenseAttribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0)
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0
dc.subjectTio2 Dopado Con Boro
dc.subjectRgo
dc.subjectTransporte Electrónico
dc.subjectColector De Corriente
dc.subjectFotocorriente
dc.subjectSustrato
dc.subject.keywordBoron-Doped Tio2
dc.subject.keywordRgo
dc.subject.keywordElectron Transport
dc.subject.keywordCurrent Collector
dc.subject.keywordPhotocurrent
dc.subject.keywordSubstrate.
dc.titleOxidación fotoelectroquímica de fenol en solución acuosa mediante el uso de películas de tio2 dopadas con boro/grafeno inmovilizadas sobre acero inoxidable
dc.title.englishPhotoelectrochemical phenol oxidation in aqueous solution by using boron-doped tio2/graphene films deposited on stainless steel
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce
dc.type.hasversionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_bdcc
dc.type.localTesis/Trabajo de grado - Monografía - Maestria
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