DESIGN OF A BANDGAP VOLTAGE REFERENCE IN A 28 NM CMOS PROCESS

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dc.contributor.advisorRueda Gómez, Sergio Andrés
dc.contributor.advisorArdila Ochoa, Javier Ferney
dc.contributor.authorAcevedo Velasquez, Jeison Herney
dc.contributor.authorCaballero Barajas, Eduardo
dc.contributor.evaluatorBarrero Pérez, Jaime Guillermo
dc.contributor.evaluatorDovale Vargas, Luisa Fernanda
dc.date.accessioned2023-11-11T15:02:48Z
dc.date.available2023-11-11T15:02:48Z
dc.date.created2023-11-10
dc.date.issued2023-11-10
dc.description.abstractEn el grupo de investigación Onchip se han fabricado en los últimos cinco años tres generaciones de SoC en un proceso CMOS de 180 nm. La nueva familia de microcontroladores que está desarrollando OnChip se implementará en un nodo de proceso CMOS más avanzado, concretamente en 28 nm. Esto implica nuevos desafíos en el diseño de bloques analógicos y digitales. La integración de bloques como LDO, ADC/DAC, comparadores, DC/DC y muchos más bloques requiere una referencia de voltaje estable y constante. Si la referencia de voltaje varía con el proceso, temperatura, carga, etc, el desempeño de todos los bloques dependientes, y consecuentemente el desempeño de todo el sistema, se verá comprometido. Por lo tanto, el diseño de una fuente de referencia de voltaje bandgap (BGR) es esencial para cualquier SoC, ya que el principio de funcionamiento detrás de este bloque le permite entregar un voltaje constante, cercano a la energía de banda prohibida del silicio, que es en gran medida independiente de las variaciones de PVT cuando adecuadamente diseñado. Esta es la razón por la que este bloque se diseñará en el microcontrolador, que será desarrollado por Onchip.
dc.description.abstractenglishIn the Onchip research group, three generations of SoCs have been manufactured in a 180nm CMOS process over the last five years. The new family of microcontrollers that OnChip is developing will be implemented in a more advanced CMOS process node, concretely in 28 nm. This implies new challenges in the design of analog and digital blocks. The integration of blocks like LDOs, ADCs/DACs, comparators, DC/DCs, and many more blocks, requires a stable and constant voltage reference. If the voltage reference varies with the process, temperature, load, etc, the performance of all the dependent blocks, and consequently the performance of the entire system, will be compromised. Therefore, the design of a Bandgap voltage reference source (BGR) is essential to any SoC, since the working principle behind this block allows it to deliver a constant voltage, close to the bandgap energy of silicon, which is largely independent of PVT variations when properly designed. This is the reason why this block will be designed into the microcontroller, which will be developed by Onchip.
dc.description.degreelevelPregrado
dc.description.degreenameIngeniero Electrónico
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier.instnameUniversidad Industrial de Santander
dc.identifier.reponameUniversidad Industrial de Santander
dc.identifier.repourlhttps://noesis.uis.edu.co
dc.identifier.urihttps://noesis.uis.edu.co/handle/20.500.14071/15277
dc.language.isoeng
dc.publisherUniversidad Industrial de Santander
dc.publisher.facultyFacultad de Ingeníerias Fisicomecánicas
dc.publisher.programIngeniería Electrónica
dc.publisher.schoolEscuela de Ingenierías Eléctrica, Electrónica y Telecomunicaciones
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.coarhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2
dc.rights.creativecommonsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0)
dc.rights.licenseAtribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 Colombia (CC BY-NC-ND 2.5 CO)
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.subjectMicroelectrónica
dc.subjectBandgap
dc.subjectTension de referencia
dc.subject.keywordMicroelectronics
dc.subject.keywordBandgap
dc.subject.keywordVoltage reference
dc.titleDESIGN OF A BANDGAP VOLTAGE REFERENCE IN A 28 NM CMOS PROCESS
dc.title.englishDESIGN OF A BANDGAP VOLTAGE REFERENCE IN A 28 NM CMOS PROCESS
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
dc.type.hasversionhttp://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce
dc.type.localTesis/Trabajo de grado - Monografía - Pregrado
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Ingeniería Electrónica