Estudio de los niveles de energía asociados a un portador en nano-hilo de silicio con campo magnético axial

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dc.contributor.advisorBeltran Rios, Carlos Leonardo
dc.contributor.authorAvendaño Pérez, Sheryl Karina
dc.date.accessioned2024-03-03T17:07:14Z
dc.date.available2008
dc.date.available2024-03-03T17:07:14Z
dc.date.created2008
dc.date.issued2008
dc.description.abstractEl estudio de estructuras de baja dimensionalidad de sistemas basados en Silicio ha tenido un aumento en los últimos años, y las perspectivas de aplicaciones tecnológicas se han ampliado debido a estas nuevas estructuras. En este trabajo se estudian los niveles de energía para un portador en un nano-hilo de Silicio con simetría cilíndrica. Los cálculos son realizados para potenciales de confinamiento infinito, con y sin aplicación de un campo magnético axial y a diferentes radios del nano-hilo, dentro de la aproximación de la masa efectiva y haciendo uso del Hamiltoniano de Kane. Con estos valores de energía se determinó la fuerza del oscilador, magnitud importante al mencionar las propiedades ópticas. Nuestros resultados son comparados para sistemas similares realizados en otro tipo de material como GaAs, InAs, entre otros. Se concluye que el comportamiento visto en los resultados obedece a un confinamiento en un pozo cuántico y el efecto de la aplicación del campo es desdoblar los niveles de energía y hacer visible la diferencia de los dos estados a medida que el campo aumenta. Adicionalmente, se observa que el modelo de Kane, el cual se reserva para elementos de brecha directa, es aplicable para el Silicio aun siendo de brecha indirecta comúnmente, pero que para los radios usados se comporta como brecha directa según las referencias y permite al modelo se completamente aplicable.
dc.description.abstractenglishThe study of structures of fall dimensionality of systems based on Silicon has had an increase in the last years, and the perspectives of technological applications have been extended due to these new structures. In this work the levels of energy are studied for a carrier in a silicon nanowire by cylindrical symmetry. The calculations are realized for potentials of infinite confinement, with and without application of a magnetic axial field and to different radius of the nanowire, inside the approximation of the effective mass and using the Kane's Hamiltonian. With these values of energy the force of the oscillator decided, important magnitude on having mentioned the optical properties. Our results are compared for similar systems realized in another type of material as GaAs, InAs, between others. One concludes that I dress the behaviour in the results obeys a confinement in a quantum well and the effect of the application of the field is to unfold the levels of energy and to make visible the difference of both states as the field increases. Additional, is observed that the model of Kane, who saves himself for elements of direct gap, is applicable for the Silicon even being of indirect gap commonly, but as for the radius used as direct gap according to the references and allows the model completely applicable.
dc.description.degreelevelPregrado
dc.description.degreenameFilósofo
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier.instnameUniversidad Industrial de Santander
dc.identifier.reponameUniversidad Industrial de Santander
dc.identifier.repourlhttps://noesis.uis.edu.co
dc.identifier.urihttps://noesis.uis.edu.co/handle/20.500.14071/21449
dc.language.isospa
dc.publisherUniversidad Industrial de Santander
dc.publisher.facultyFacultad de Ciencias Humanas
dc.publisher.programFilosofía
dc.publisher.schoolEscuela de Filosofía
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.creativecommonsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0)
dc.rights.licenseAttribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0)
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0
dc.subjectNano-hilo de Si
dc.subjectNiveles de energía
dc.subjectModelo de Kane.
dc.subject.keywordSi Nanowire
dc.subject.keywordLevels of energy
dc.subject.keywordModel of
dc.titleEstudio de los niveles de energía asociados a un portador en nano-hilo de silicio con campo magnético axial
dc.title.englishStudy of the levels of energy associated with a carrier in silicon nanowire with magnetic axial field
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce
dc.type.hasversionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
dc.type.localTesis/Trabajo de grado - Monografía - Pregrado
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