Resultados de la simulacion de las protecciones perifericas jte para el sostenimiento de la tension en regimen inverso de un diodo en sic-4h
| dc.contributor.advisor | Aubert, Alain | |
| dc.contributor.author | Rincon Santamaria, Juan Carlos | |
| dc.date.accessioned | 2024-03-03T04:41:36Z | |
| dc.date.available | 2004 | |
| dc.date.available | 2024-03-03T04:41:36Z | |
| dc.date.created | 2004 | |
| dc.date.issued | 2004 | |
| dc.description.abstract | Este proyecto de fin de estudios se inscribe dentro de los trabajos de investigación del laboratorio Centro de Ingeniería Eléctrica de Lyon CEGELY, en lo que concierne a la aplicación del carburo de silicio SiC como material semiconductor para los dispositivos de electrónica de potencia. Las investigaciones actuales están orientadas hacia la búsqueda de tensiones de sostenimiento en régimen inverso de 5 a 10 kV. El objetivo de esta practica es la simulación de un diodo PiN con una tensión de ruptura de 7000 V. El posee la particularidad de ser protegido en su periferia por tres bolsas o JTE (Junction Termination Extension). El objetivo de esta practica es determinar los intervalos de dois de implantación iónica y las longitudes de las diferentes bolsas teniendo en cuenta las limitaciones tecnológicas. Un programa de cálculo que utiliza el método de los elementos finitos llamado MEDICITM permite determinar las características eléctricas y las magnitudes físicas internas (campo eléctrico, concentración de portadores). La estructura es determinada con la ayuda de un mallado donde en cada punto la ecuación de Poissin y las ecuaciones de continuidad son calculadas. La extensión del emisor ha sido simulada resolviendo, con la ayuda del simulador, el problema de la conservación de la tensión en la periferia por medio de tres bolsas. Los intervalos de dosis de implantación fueron obtenidos. La anterior conclusión se inscribe dentro de una teoría que quiere mostrar que tres bolsas permiten definir intervalos de implantación iónica más grandes que una sola bolsa. Se ha simulado el diodo con una capa de aislante soble él: Aire, SiO2. Para determinar el orden de las simulaciones, un plano de experiencias ha sido concebido. | |
| dc.description.abstractenglish | This project of end of studies registers inside the works of investigation of the laboratory Center of Electric Engineering of Lyon CEGELY, concerning the application of the silicon carbide SiC like material semiconductor for the devices of electronic of power. The current investigations are guided toward the search of maintenance tensions in inverse régime from 5 to 10 kw. The objective of this he/she practices it is the simulation of a diode PiN with a tension of rupture of 7000 V. He possesses the particularity of being protected in their periphery by three bags or JTE (Junction Termination Extension). The objective of this he/she practices it is to determine the intervals of dois of ionic installation and the longitudes of the different bags keeping in mind the technological limitations. A calculation program that uses the method of the called finite elements MEDICITM allows to determine the electric characteristics and the internal physical magnitudes (electric field, payees' concentration). The structure is determined with the help of a mallado where in each point the equation of Poissin and the equations of continuity are calculated. The extension of the originator has been simulated solving, with the help of the pretender, the problem of the conservation of the tension in the periphery by means of three bags. The intervals of installation dose were obtained. The previous conclusion registers inside a theory that he/she wants to show that three bags allow to define bigger intervals of ionic installation that a single bag. The diode has been simulated with a layer of insulating soble him: Air, SiO2. To determine the order of the simulations, a plane of experiences has been conceived. | |
| dc.description.degreelevel | Pregrado | |
| dc.description.degreename | Ingeniero Electricista | |
| dc.format.mimetype | application/pdf | |
| dc.identifier.instname | Universidad Industrial de Santander | |
| dc.identifier.reponame | Universidad Industrial de Santander | |
| dc.identifier.repourl | https://noesis.uis.edu.co | |
| dc.identifier.uri | https://noesis.uis.edu.co/handle/20.500.14071/16707 | |
| dc.language.iso | spa | |
| dc.publisher | Universidad Industrial de Santander | |
| dc.publisher.faculty | Facultad de Ingenierías Fisicomecánicas | |
| dc.publisher.program | Ingeniería Eléctrica | |
| dc.publisher.school | Escuela de Ingenierías Eléctrica, Electrónica y Telecomunicaciones | |
| dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | |
| dc.rights.accessrights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.rights.creativecommons | Atribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0) | |
| dc.rights.license | Attribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0) | |
| dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0 | |
| dc.subject | Protecciones periféricas | |
| dc.subject | Dispositivos | |
| dc.subject | Electrónica de potencia | |
| dc.subject | Carburo de silicio | |
| dc.subject | JTE | |
| dc.subject | bolsa. | |
| dc.title | Resultados de la simulacion de las protecciones perifericas jte para el sostenimiento de la tension en regimen inverso de un diodo en sic-4h | |
| dc.title.english | Periphery protection of 4h-sic power pin diode using variable jte simulation study | |
| dc.type.coar | http://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce | |
| dc.type.hasversion | http://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f | |
| dc.type.local | Tesis/Trabajo de grado - Monografía - Pregrado |