Cálculo de los niveles asociados a una donadora cercana a una interfase de Si/SiO2

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dc.contributor.advisorBeltran Rios, Carlos Leonardo
dc.contributor.authorRodríguez Moreno, Elber
dc.date.accessioned2024-03-03T17:32:01Z
dc.date.available2009
dc.date.available2024-03-03T17:32:01Z
dc.date.created2009
dc.date.issued2009
dc.description.abstractEn el siguiente trabajo se analizo los niveles de energía asociados a una donadora cerca de una interfase de Si/SiO2. El análisis se ejecuto en el esquema de aproximación de la masa efectiva y los cálculos se realizaron mediante procedimientos numéricos y computacionales para resolver el problema de Schr¨odinger, mediante el principio variacional de Schr¨odinger. En particular se estudio el comportamiento del nivel base en la presencia de un campo eléctrico constante en la dirección perpendicular a la interfase. Este sistema debido a que la interfase se puede modelar mediante un potencial con confinamiento infinito y al aplicar un campo eléctrico se genera un sistema de doble pozo con el potencial de la impureza donadora. Se encontró una dependencia del potencial efectivo con el campo eléctrico aplicado y la distancia entre la interfase de Si/SiO2 y la impureza donadora, haciendo que el pozo de potencial sea menos profundo cuando se aleja la impureza de la interfase y el campo eléctrico aumenta. También se encontró una dependencia de la energía de enlace y el campo eléctrico aplicado, como de la distancia entre la impureza donadora y la interfase, haciendo que estos niveles de energía suban a medida que los valores de campo y distancia aumentan.
dc.description.abstractenglishIn this work, we analyze the energy levels associated with a donor near a Si/SiO2 interface. The analysis was run in the scheme of the effective mass approximation and the calculations were performed using numerical and computational procedures to solve the problem of Schr¨odinger, using the Schr¨odinger variational principle. In particular, study the behavior of the base level in the presence of a constant electric field in the direction perpendicular to the interface. This system because the interface can be modeled by an infinite confinement potential and applying an electric field generated a double well potential with the donor impurity. We found a dependence of effective potential with the applied electric field and the distance between the Si/SiO2 interface and impurity donor, making the potential well is shallower. We also found a dependence of the binding energy and the applied electric field, as well as the distance between the donor impurity and interface, making these energy levels rise.
dc.description.degreelevelPregrado
dc.description.degreenameFísico
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier.instnameUniversidad Industrial de Santander
dc.identifier.reponameUniversidad Industrial de Santander
dc.identifier.repourlhttps://noesis.uis.edu.co
dc.identifier.urihttps://noesis.uis.edu.co/handle/20.500.14071/22264
dc.language.isospa
dc.publisherUniversidad Industrial de Santander
dc.publisher.facultyFacultad de Ciencias
dc.publisher.programFísica
dc.publisher.schoolEscuela de Física
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.creativecommonsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0)
dc.rights.licenseAttribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0)
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0
dc.subjectDonadora
dc.subjectEspectro energético
dc.subjectEnergía de enlace
dc.subjectBarrido Trigonométrico.
dc.subject.keywordDonor
dc.subject.keywordEnergy spectrum
dc.subject.keywordBinding energy
dc.subject.keywordTrigonometric sweep.
dc.titleCálculo de los niveles asociados a una donadora cercana a una interfase de Si/SiO2
dc.title.englishcalculations associated with a donor nearest to an interface of Si/SiO2
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce
dc.type.hasversionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
dc.type.localTesis/Trabajo de grado - Monografía - Pregrado
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