Estudio de las propiedades eléctricas de transistores nonometricos de capa delgada basados en la tecnología "son"

Abstract

El procedimiento LSOI (Localised Silicon On Insulator) es un innovador enfoque de bajo costo, dedicado a los dispositivos de baja potencia; este procedimiento esta basado en la tecnología SON (Silicon On Nothing), donde la capa de aislante típica (SiO2) de los transistores SOI puede ser remplazada por diferentes tipos de aislante. En el presente informe se muestra el estudio hecho de las propiedades eléctricas de los transistores LSOI, la variación de estas propiedades en relación a la longitud de compuerta (Gate), de los diferentes espesores, de las capas bajo la compuerta (óxido de compuerta, canal, aislante, sustrato) y la densidad de estados de interfase entre cada material. Con el fin de facilitar el cálculo de los parámetros analizados se desarrollaron aplicaciones informáticas específicas en VBA (Visual Basic for Applications). El modelo establecido (Lime&Fosum) se estudio y se comprobó experimentalmente, se pudo concluir que los dispositivos LSOI tienen un fuerte valor de coeficiente de acoplamiento, lo que permite controlar de manera eficiente la corriente de fuga (Ioff). A través de las medidas experimentales y los resultados obtenidos hemos comprobado que es más grande la variación en el valor del coeficiente de acoplamiento cuando se trabaja con espesores más pequeños.