Publicación: Design of a low drop-out voltage regulator for system-on chip applications in a 130nm cmos technology
| dc.contributor.advisor | Amaya Beltrán, Andrés Felipe | |
| dc.contributor.advisor | Roa Fuentes, Elkim Felipe | |
| dc.contributor.author | Fernandez Martinez, Laude Andres | |
| dc.date.accessioned | 2024-03-03T23:27:01Z | |
| dc.date.available | 2017 | |
| dc.date.available | 2024-03-03T23:27:01Z | |
| dc.date.created | 2017 | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.description.abstract | Este trabajo presenta un regulador de tres etapas con baja caída de tensión, completamente integrable para applicaciones de sistemas en chips. El circuito es compensado con la técnica indirecta anidada usando seguidores de corriente (RNMCCB). Además, se usó un circuito de polarización dinámica para acelerar la respuesta transitoria y así minimizar el tiempo de establecimiento. El regulador ha sido implementado en tecnología CMOS TSMC 130nm y ocupa una area de 0.007mm^2. Resultados de simulaciones post-layout para un rango de temperatura de -20°C hasta 120°C muestran que el regulador puede entregar una corriente de carga hasta de 50mA con una caída de tensión en el regulador de 200mV; también, su corriente de polarización es 60uA y su tiempo de establecimiento de 0.23us. El regulador sin capacitor externo funciona para un rango de voltaje de entrada de 1.4V hasta 2.2V, tiene un sobre pico y sub pico máximo para simulaciones de esquinas de 180mV y 297mV respectivamente. La capacitancia de compensación total es de 5pF alcanzando la estabilidad in todos los casos de corriente de carga, incluso con una capacitancia de carga tan alta de 100pF. Adicionalmente, se propone un análisis de polos y ceros para amplificadores de multietapas, como un complemento a el análisis hecho por el autor en (Garimella, A., Rashid, M. W., & Furth, P. M. 2010).; con el fin de evitar polos en el semiplano derecho que pueden ser generados por los lasos de realimentación de los seguidores de corriente del esquema de compensación en frecuencia (RNMCCB). | |
| dc.description.abstractenglish | This work presents a fully integrated three-stage low drop-out regulator (LDO) for system-on-chip applications. The circuits is compensated with the reverse nested miller technique using current buffers (RNMCCB). Moreover, a dynamic biasing circuit is used to speed up the transient response and thus to minimize the settling time. The regulator has been implemented in a TSMC 130nm CMOS technology and occupies an active chip area of 0.007 . Post-layout simulation results for a temperature range from -20°C to 120°C show that the regulator can deliver up to 50mA of load current at a dropout voltage of 200mV; also, its quiescent current is 60 uA and its settling time is 0.23 us. The capacitor-less regulator works for an input voltage range from 1.4V to 2.2V, it has a maximum overshoot and undershoot for corner simulations of 180mV and 297mV respectively. The total compensation capacitance is 5pF achieving stability in all current cases, even with a high output capacitance up to 100pF. Additionally, a pole zero analysis of multi-stage amplifiers is proposed as a complement to the analysis done by the author in (Garimella, A., Rashid, M. W., & Furth, P. M. 2010)., in order to avoid right-half plane poles that can be generated by the feedback loops of the current buffers of the frequency compensation scheme (RNMCCB). | |
| dc.description.degreelevel | Pregrado | |
| dc.description.degreename | Ingeniero Electrónico | |
| dc.format.mimetype | application/pdf | |
| dc.identifier.instname | Universidad Industrial de Santander | |
| dc.identifier.reponame | Universidad Industrial de Santander | |
| dc.identifier.repourl | https://noesis.uis.edu.co | |
| dc.identifier.uri | https://noesis.uis.edu.co/handle/20.500.14071/37044 | |
| dc.language.iso | spa | |
| dc.publisher | Universidad Industrial de Santander | |
| dc.publisher.faculty | Facultad de Ingenierías Fisicomecánicas | |
| dc.publisher.program | Ingeniería Electrónica | |
| dc.publisher.school | Escuela de Ingenierías Eléctrica, Electrónica y Telecomunicaciones | |
| dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | |
| dc.rights.accessrights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.rights.creativecommons | Atribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0) | |
| dc.rights.license | Attribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0) | |
| dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0 | |
| dc.subject | Regulador De Voltaje | |
| dc.subject | Simulaciones De Esquinas | |
| dc.subject | Compensación | |
| dc.subject | Baja Caída De Tensión | |
| dc.subject.keyword | Voltage Regulator | |
| dc.subject.keyword | Corner Simulations | |
| dc.subject.keyword | Compensation | |
| dc.subject.keyword | Low Drop-Out | |
| dc.title | Design of a low drop-out voltage regulator for system-on chip applications in a 130nm cmos technology | |
| dc.title.english | Design of a low drop-out voltage regulator for system-on-chip applications in a 130 nm cmos technology | |
| dc.type.coar | http://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce | |
| dc.type.hasversion | http://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f | |
| dc.type.local | Tesis/Trabajo de grado - Monografía - Pregrado | |
| dspace.entity.type | Publication |
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