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Cálculo de los niveles asociados a una donadora cercana a una interfase de Si/SiO2

Resumen

En el siguiente trabajo se analizo los niveles de energía asociados a una donadora cerca de una interfase de Si/SiO2. El análisis se ejecuto en el esquema de aproximación de la masa efectiva y los cálculos se realizaron mediante procedimientos numéricos y computacionales para resolver el problema de Schr¨odinger, mediante el principio variacional de Schr¨odinger. En particular se estudio el comportamiento del nivel base en la presencia de un campo eléctrico constante en la dirección perpendicular a la interfase. Este sistema debido a que la interfase se puede modelar mediante un potencial con confinamiento infinito y al aplicar un campo eléctrico se genera un sistema de doble pozo con el potencial de la impureza donadora. Se encontró una dependencia del potencial efectivo con el campo eléctrico aplicado y la distancia entre la interfase de Si/SiO2 y la impureza donadora, haciendo que el pozo de potencial sea menos profundo cuando se aleja la impureza de la interfase y el campo eléctrico aumenta. También se encontró una dependencia de la energía de enlace y el campo eléctrico aplicado, como de la distancia entre la impureza donadora y la interfase, haciendo que estos niveles de energía suban a medida que los valores de campo y distancia aumentan.