Evaluación de películas semiconductoras de n-tio2 preparadas por el método sol-gel usando etóxido e isopropoxido de titanio (iv) en la oxidación de fenol por foto electrocatálisis
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Date
2013
Evaluators
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Universidad Industrial de Santander
Abstract
El presente trabajo tuvo como objetivo principal la evaluación de películas delgadas semiconductoras de TiO2 dopado con nitrógeno durante la foto electrocatálisis de soluciones acuosas de fenol, empleando como precursores de titanio el etóxido y el isopropóxido de titanio (IV), y como precursor de nitrógeno, la etilendiamina (en). El efecto de la relación molar alcóxido de titanio: en (1:1, 2:1, 1/3:1), la relaciones molares alcóxido de titanio: alcohol (1:10, 1:15, 1:20) y la relación molar alcóxido de titanio: agua (1:0.5, 1:1, 1:2, 1:5, 1:10) en la obtención de los soles estables fueron estudiadas. Los cuáles se caracterizaron por IR-TF y DLS. Las películas se obtuvieron empleando la técnica dip-coating, utilizando como sustrato acero AISI-SAE-304 y se caracterizaron mediante SEM, DRX y espectroscopia de reflactancia difusa de ultravioleta-visible. Las propiedades eléctricas de las películas delgadas se caracterizaron por potencial a circuito abierto y voltametría de barrido lineal. La degradación de soluciones acuosas de 50 ppm de fenol se realizó empleando como fotoánodo las películas sintetizadas y como cátodo acero AISI SAE 304, como electrolito NaCl 0.1M, la solución fue irradiada con luz visible empleando una lámpara de halogenuro metálico de 150W Philips. Durante este proceso se evaluaron variables como: número de capas del semiconductor y el pH de la solución. El seguimiento de la degradación de fenol se realizó por espectroscopia ultravioleta-visible. Las películas de N-TiO2 mostraron actividad fotoelectrocatalítica alcanzando alrededor del 50% de degradación del fenol.
Description
Keywords
Foto electrocatálisis, Precursor De Titanio, Precursor Dopante, Oxidación Del Fenol.