Espectro electrónico de impurezas D0 y D− confinadas en heterojunturas semiconductoras de GaAs-(Ga,Al)As

Simple item page
dc.contributor.advisorMikhailov, Ilia Davidovich
dc.contributor.authorSierra Ortega, José
dc.contributor.evaluatorParedes, Harold
dc.contributor.evaluatorPérez, Servio Tulio
dc.contributor.evaluatorGonzález, Augusto
dc.contributor.evaluatorMahecha, Jorge Eduardo
dc.date.accessioned2022-04-29T14:07:56Z
dc.date.available2022-04-29T14:07:56Z
dc.date.created2004
dc.date.issued2004
dc.description.abstractEn este trabajo se desarrolla un nuevo método simple y eficiente el cual denominamos Método de Dimensión Fractal, para estudiar las energías de enlaces del estado base y algunos estados excitados de impurezas neutras (D0 ) y negativamente cargadas ( D− ), confinadas en heterojunturas semiconductoras de GaAs-Ga1-xAlxAs. Se analizaron los efectos que sobre estos estados producen la forma del potencial, la variación de algunos parámetros estructurales, la no parabolicidad de la banda y la aplicación de un campo magnético. Partiendo del principio variacional, en este método los problemas originales de un D0 y un D− en una heterojuntura semiconductora, se reducen a unos similares en un espacio efectivo con dimensión fraccionaria y variable. La dimensión de este espacio se define como un parámetro de escalamiento que relaciona el radio de un conjunto de cajas esféricas con la densidad de carga dentro, la cual es inducida por el electrón libre en la heterojuntura. Usando esta definición encontramos expresiones explicitas para la dimensión espacial efectiva en un pozo (QW), hilo (QWW) y un punto cuántico (QD). Para resolver las ecuaciones de onda del electrón libre en la heterojuntura y para el átomo hidrogenoide en el espacio fraccionario efectivo, usamos el método de barrido trigonométrico. Además calculamos la densidad de estado de estas impurezas en diferentes heterojunturas.
dc.description.abstractenglishIn this work is present a simple and efficient new method, which we call Fractal Dimension, for calculating the spectra of on- and off-center neutral ( D0 ), and negative ( D− ) impurity, confined in a GaAs-Ga1-xAlxAs semiconductor heterostructure. Starting from the variational principle we reduce the problems of the on- and off-center D0 and D− in a semiconductor heterostructure to the similar ones in an isotropic effective space with variable fractional dimension. The dimension of this space is defined as a scaling parameter that relates the radii of a set of spherical boxes with the densities of charge within these boxes corresponding to the free electron ground state in heterostructure. Explicit expressions for the effective space dimensionality in a quantum well (QW), quantum-well wire (QWW) and a quantum dot (QD) are found by using this definition. To solve the wave equations for the free electron ground state in the heterostructure and for the hydrogen-like atom in the fractional-dimensional space we use the numerical trigonometric sweep method. The similar problem for a negative-hydrogen-like ion in the effective space is solved by using the three-parameter Hylleraas trial function. Our results are in a good agreement with ones from the variational and Monte Carlo methods. In addition, novel results for the D− binding energy as a function of the cylindrical GaAs/Ga0.7Al0.3As QWW radius and the magnetic field intensity are presented. We also calculate the density of the impurity states in a QWW and QD.
dc.description.cvlachttps://scienti.minciencias.gov.co/cvlac/visualizador/generarCurriculoCv.do?cod_rh=0000061468
dc.description.degreelevelDoctorado
dc.description.degreenameDoctor en Ciencias Naturales
dc.description.googlescholarhttps://scholar.google.com/citations?user=D51flrUAAAAJ&hl=es
dc.description.orcidhttps://orcid.org/0000-0002-0905-3147
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier.instnameUniversidad Industrial de Santander
dc.identifier.reponameUniversidad Industrial de Santander
dc.identifier.repourlhttps://noesis.uis.edu.co
dc.identifier.urihttps://noesis.uis.edu.co/handle/20.500.14071/10212
dc.language.isospa
dc.publisherUniversidad Industrial de Santander
dc.publisher.facultyFacultad de Ciencias
dc.publisher.programDoctorado en Ciencias Naturales
dc.publisher.schoolEscuela de Física
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.coarhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2
dc.rights.creativecommonsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0)
dc.rights.licenseAttribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0)
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.subjectSistemas de baja dimensionalidad
dc.subjectdimensión fractal
dc.subjectmétodo variacional
dc.subjectenergía de enlace
dc.subjectheterojunturas
dc.subjectpuntos
dc.subjecthilos
dc.subjectpozos cuánticos
dc.subject.keywordLow dimensional systems
dc.subject.keywordfractal dimension
dc.subject.keywordvariational method
dc.subject.keywordbinding energy
dc.subject.keywordheterostructures
dc.subject.keyworddots
dc.subject.keywordwires
dc.subject.keywordquantum wells
dc.titleEspectro electrónico de impurezas D0 y D− confinadas en heterojunturas semiconductoras de GaAs-(Ga,Al)As
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/resource_type/c_db06
dc.type.hasversionhttp://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce
dc.type.localTesis/Trabajo de grado - Monografía - Doctorado
dspace.entity.type
Files
Original bundle
Now showing 1 - 3 of 3
Thumbnail Image
Name:
Documento.pdf
Size:
1.5 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
No Thumbnail Available
Name:
Carta de autorización.pdf
Size:
831.15 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
No Thumbnail Available
Name:
Nota de proyecto.pdf
Size:
80.7 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.18 KB
Format:
Item-specific license agreed to upon submission
Description:
Download
Collections
Doctorado en Ciencias Naturales