Preparacion y caracterizacion de peliculas de hg(1-x)cd(x)se sobre titanio por electrodeposicion sometidas a recocido

Abstract

Se estudió el mecanismo de deposición electroquímica de películas de Hg1−xCdxSe sobre titanio a diferentes temperaturas a partir de soluciones que contienen Hg2+, Cd2+, H2SeO3 y N a2SO4·10H2O. Los estudios electroquímicos se realizaron utilizando voltamperometría cíclica para determinar los procesos de reducción en función de la temperatura. Se determinó la influencia que tiene el proceso de recocido en atmósfera controlada, sobre las propiedades físicas de las películas de Hg1−xCdxSe . Las películas obtenidas, se caracterizaron antes y después del recocido, empleando microscopía electrónica de barrido, espectroscopía de energía dispersiva por rayos X, difracción de rayos X de haz rasante, espectroscopía de fotoelectrones emitidos por rayos X, reflectancia difusa, fotoluminiscencia y espectroscopía Raman. Se determinó que la temperatura de la solución, afecta la difusión de las especies en la interfase electrodo-electrolito y el potencial de deposición, por esto, a 40 ◦ C y a -0,65 V, las películas formadas son uniformes y adherentes al sustrato. Se determinó que las películas estaban compuestas de una sola fase, morfológicamente, las películas exhiben agregados globulares tipo “coliflor” y baja cristalinidad. El proceso de recocido, mejora la cristalinidad del material, pero no influye significativamente en las propiedades de emisión del material.