Metodologia no invasiva, para la estimacion de los parametros del diodo de bypass de un modulo fotovoltaico con celdas policristalinas

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dc.contributor.advisorBastidas Rodríguez, Juan David
dc.contributor.advisorCorrea Cely, Carlos Rodrigo
dc.contributor.authorVelez Sanchez, Jeisson Emilio
dc.date.accessioned2023-04-06T20:23:06Z
dc.date.available2023
dc.date.available2023-04-06T20:23:06Z
dc.date.created2019
dc.date.issued2019
dc.description.abstractEn este trabajo se proponen dos procedimientos para estimar los parámetros Isat,db y ηdb del modelo exponencial de los diodos de bypass de un panel FV, usando dos curvas experimentales de corriente vs tensión (I-V). La primera curva I-V es sin sombrear el panel, para calcular un modelo de referencia. La segunda curva se obtiene cubriendo total o parcialmente el módulo en el que se desea estimar los parámetros del diodo de bypass. Con la primera curva y el número de módulos del panel (Nm), se estima una tercera curva, que representa los módulos no sombreados de la segunda curva. La curva I-V del diodo de bypass se obtiene de la resta de la tercera y segunda curva. Con dos puntos de la curva I-V del diodo de bypass, se establece un sistema no lineal de dos ecuaciones y dos incógnitas. El cual, al solucionar se determina los parámetros Isat,db y ηdb del diodo de bypass. Los dos procedimientos se validaron con simulaciones y uno a través de pruebas experimentales. En las simulaciones, los errores en la estimación de los parámetros del diodo de bypass son menores al 3.6 %. Además, al reproducir la curva I-V del diodo de bypass se obtienen RMSE’s menores a 800µV y 5.1mV para el primer y el segundo método respectivamente. En las pruebas experimentales, el primer procedimiento estimó ambos parámetros y al usarlos para reproducir la curva I-V de los diodos de bypass se obtuvo un error RMSE menor a 51mV para todos los escenarios planteados. Los resultados obtenidos demuestran que los métodos propuesto se pueden utilizar para monitorear el estado de los diodos de bypass, igualmente se debería considerar otros modelos para obtener una mayor precisión en la estimación de los parámetros Isat,db y ηdb.
dc.description.abstractenglishIn this document, two procedures are proposed to estimate the parameters Isat,db and etadb of the exponential model of the bypass diodes of a PV panel, using two experimental currents of current vs voltage (IV). The first I-V curve is without shading the panel, to calculate a reference model. The second curve is obtained by totally or partially covering the module in which it is desired to estimate the parameters of the bypass diode. With the first curve and the number of modules of panel (Nm), a third curve is estimated, which represents the unshaded modules of the second curve. The curve I-V of the bypass diode is obtained by subtracting the third and second curve. With two points of the I-V curve of the bypass diode, a non-linear system of two equations and two unknowns is established. Which, when solving, determines the parameters Isat,db and etadb of the bypass diode. The two procedures were validated with simulations and one through experimental tests. In the simulations, the errors in the estimation of the parameters of the bypass diode are less than 3.6 %. In addition, when reproducing the I-V curve of the bypass diode, RMSE’s less than 800µV and 5.1mV are obtained for the first and second methods respectively. In the experimental tests, the first procedure estimated both parameters and when using them to reproduce the I-V curve of the bypass diodes, an RMSE error of less than 51mV was obtained for all the proposed scenarios. The results obtained show that the proposed methods can be used to monitor the status of the bypass diodes, similarly other models should be considered to obtain a greater precision in the estimation of the parameters Isat,db and etadb.
dc.description.degreelevelMaestría
dc.description.degreenameMagíster en Ingeniería Electrónica
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier.instnameUniversidad Industrial de Santander
dc.identifier.reponameUniversidad Industrial de Santander
dc.identifier.repourlhttps://noesis.uis.edu.co
dc.identifier.urihttps://noesis.uis.edu.co/handle/20.500.14071/14018
dc.language.isospa
dc.publisherUniversidad Industrial de Santander
dc.publisher.facultyFacultad de Ingenierías Fisicomecánicas
dc.publisher.programMaestría en Ingeniería Electrónica
dc.publisher.schoolEscuela de Ingenierías Eléctrica, Electrónica y Telecomunicaciones
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.coarhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2
dc.rights.creativecommonsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0)
dc.rights.licenseAttribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0)
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.subjectDiodo De Bypass
dc.subjectEstimación
dc.subjectMétodo No Invasivo
dc.subjectParámetros.
dc.subject.keywordBypass Diode
dc.subject.keywordEstimation
dc.subject.keywordNon-Invasive Method
dc.subject.keywordParameters.
dc.titleMetodologia no invasiva, para la estimacion de los parametros del diodo de bypass de un modulo fotovoltaico con celdas policristalinas
dc.title.englishNon-invasive methodology for the bypass diodes parameter estimation in a photovoltaic panel *
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce
dc.type.hasversionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_bdcc
dc.type.localTesis/Trabajo de grado - Monografía - Maestría
dspace.entity.type
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