Diseño de una fuente de voltaje de referencia de bandgap integrada en tecnología cmos
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Date
2007
Authors
Evaluators
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Publisher
Universidad Industrial de Santander
Abstract
Este trabajo de grado estudia la posibilidad de mezclar el uso de los transistores MOSpolarizados en inversión débil, y la corrección de la curvatura en una fuente de referencia,con el fin de bajar el consumo de corriente a la vez que se mejore el coeficiente térmico y sepueda usar un ámplio rango de temperatura de trabajo. Para esto se revisan los conceptosy las técnicas de corrección de curvatura que se han propuesto en la literatura, seguido deel estudio de las fuentes de referencia basadas en transistores MOS polarizados en inversióndébil. En este diseño se tuvo que adaptar la técnica de corrección seleccionada, de tal modoque se pueda usar sobre la curvatura cóncava de un voltaje de referencia basado en transistoresMOS polarizados en inversión débil. Para obtener un buen desempeño del circuito se hace unanálisis estadístico buscando atenuar el efecto de las variaciones del proceso de fabricación. Se propone una fuente de referencia de bajo consumo de potencia basada en transistoresMOS polarizados en inversión débil. En esta fuente se usa una corriente lineal por partes para corregir la curvatura del voltaje de salida, obteniendo un coeficiente térmico de 3 yV/*C en un rango de temperatura de [-50; 150] 2C. El circuito diseñado tiene un voltaje de salida de 183 mV y ocupa una área de 0,031 mm? con un consumo de corriente de 2,4 yA Q 3,3 V.
Description
Keywords
Inversión débil, Lineal por partes, Subumbral.