Diseño de una fuente de voltaje de referencia de bandgap integrada en tecnología cmos

dc.contributor.advisorRoa Fuentes, Elkim Felipe
dc.contributor.advisorAcevedo Picon, Alfredo Rafael
dc.contributor.authorMateus Ardila, Juan Carlos
dc.date.accessioned2024-03-03T16:33:32Z
dc.date.available2007
dc.date.available2024-03-03T16:33:32Z
dc.date.created2007
dc.date.issued2007
dc.description.abstractEste trabajo de grado estudia la posibilidad de mezclar el uso de los transistores MOSpolarizados en inversión débil, y la corrección de la curvatura en una fuente de referencia,con el fin de bajar el consumo de corriente a la vez que se mejore el coeficiente térmico y sepueda usar un ámplio rango de temperatura de trabajo. Para esto se revisan los conceptosy las técnicas de corrección de curvatura que se han propuesto en la literatura, seguido deel estudio de las fuentes de referencia basadas en transistores MOS polarizados en inversióndébil. En este diseño se tuvo que adaptar la técnica de corrección seleccionada, de tal modoque se pueda usar sobre la curvatura cóncava de un voltaje de referencia basado en transistoresMOS polarizados en inversión débil. Para obtener un buen desempeño del circuito se hace unanálisis estadístico buscando atenuar el efecto de las variaciones del proceso de fabricación. Se propone una fuente de referencia de bajo consumo de potencia basada en transistoresMOS polarizados en inversión débil. En esta fuente se usa una corriente lineal por partes para corregir la curvatura del voltaje de salida, obteniendo un coeficiente térmico de 3 yV/*C en un rango de temperatura de [-50; 150] 2C. El circuito diseñado tiene un voltaje de salida de 183 mV y ocupa una área de 0,031 mm? con un consumo de corriente de 2,4 yA Q 3,3 V.
dc.description.abstractenglishThis thesis studies the possibility of mixing the use of weak inversion MOS transistorsand the curvature correction in a reference source, in order to reduce the power consumptionmeantime the thermal coefficient is improved in a wider working temperature range. In orderto achieve these aims, it reviewes the concepts and techniques for curvature correction thathave been proposed in the literature, followed by the study of the reference sources basedon weak inversion MOS transistors. In this design, it had to adapt the correccion techniqueselected, so that can be used on the concave curvature of a voltage reference based on weakinversion MOS transistors. To improve the circuit performance, a statistical analysis is donein order to mitigate the manufacturing process variations effect. It is propose a a low power consumption reference source based on weak inversion MOStransistors. In this source a piece-wiese linear current is used to correct the curvature of theoutput voltage, with a thermal coefficient of 3 uV/°C in a temperature range of [—50; 150] ©. The circuit designed has an output voltage of 183 mV and occupies an area of 0,031 mm? with a current consumption of 2,4 4A @ 3,3 V.
dc.description.degreelevelPregrado
dc.description.degreenameIngeniero Electrónico
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier.instnameUniversidad Industrial de Santander
dc.identifier.reponameUniversidad Industrial de Santander
dc.identifier.repourlhttps://noesis.uis.edu.co
dc.identifier.urihttps://noesis.uis.edu.co/handle/20.500.14071/19826
dc.language.isospa
dc.publisherUniversidad Industrial de Santander
dc.publisher.facultyFacultad de Ingenierías Fisicomecánicas
dc.publisher.programIngeniería Electrónica
dc.publisher.schoolEscuela de Ingenierías Eléctrica, Electrónica y Telecomunicaciones
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.creativecommonsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0)
dc.rights.licenseAttribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0)
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0
dc.subjectInversión débil
dc.subjectLineal por partes
dc.subjectSubumbral.
dc.subject.keywordWeak inversion
dc.subject.keywordPiece-wiese linear
dc.subject.keywordSubthreshold.
dc.titleDiseño de una fuente de voltaje de referencia de bandgap integrada en tecnología cmos
dc.title.englishDesign of a bandgap reference voltage integrated in CMOS technology)|
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce
dc.type.hasversionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
dc.type.localTesis/Trabajo de grado - Monografía - Pregrado
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